Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MHE05033R3M-10 von Laird. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 8.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 23mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MHE05033R3M-10.
MHE05033R3M-10 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MHE05033R3M-10 ist für 8.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MHE05033R3M-10 hat einen DC-Widerstand von 23mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MHE05033R3M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 8.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 23mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 10.5A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.224 L x 0.213 W (5.70mm x 5.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Laird |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 8.1A 23 MOHM SMD |
| Serie | MHE |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 28MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.118 (3.00mm) |
