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MHQ1005P1N2BTD25

MHQ1005P1N2BTD25

TDK

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.2NH 1.2A 30 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1.2 nH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MHQ1005P1N2BTD25.

Induktivität
1.2 nH

MHQ1005P1N2BTD25 hat eine Induktivität von 1.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

MHQ1005P1N2BTD25 ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max

MHQ1005P1N2BTD25 hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

MHQ1005P1N2BTD25 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität1.2 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)30mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 1.2NH 1.2A 30 MOHM SMD
SerieMHQ-P
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic, Non-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz13GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.024" (0.60mm)
Merkmale-

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