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MHQ1005P82NGT000

MHQ1005P82NGT000

TDK

0402 (1006 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 82NH 160MA 2.3 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
82 nH
Nennstrom
160 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.3Ohm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MHQ1005P82NGT000.

Induktivität
82 nH

MHQ1005P82NGT000 hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
160 mA

MHQ1005P82NGT000 ist für 160 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.3Ohm Max

MHQ1005P82NGT000 hat einen DC-Widerstand von 2.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1006 Metric)

MHQ1005P82NGT000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1006 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität82 nH
Toleranz±2%
Nennstrom160 mA
DC-Widerstand (DCR)2.3Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)
Gehäuse / Größe0402 (1006 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1006 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 82NH 160MA 2.3 OHM SMD
SerieMHQ-P
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic, Non-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz22 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz900MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1006 (0402)
Höhe - sitzend (max.)0.024" (0.60mm)
Merkmale-

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