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MHQ1005PR13JT000

MHQ1005PR13JT000

TDK

0402 (1006 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 130NH 110MA 2.9 OHM

Technische Daten

Induktivität
130 nH
Nennstrom
110 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.9Ohm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MHQ1005PR13JT000.

Induktivität
130 nH

MHQ1005PR13JT000 hat eine Induktivität von 130 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
110 mA

MHQ1005PR13JT000 ist für 110 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.9Ohm Max

MHQ1005PR13JT000 hat einen DC-Widerstand von 2.9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1006 Metric)

MHQ1005PR13JT000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1006 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität130 nH
Toleranz±5%
Nennstrom110 mA
DC-Widerstand (DCR)2.9Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)
Gehäuse / Größe0402 (1006 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1006 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 130NH 110MA 2.9 OHM
SerieMHQ-P
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic, Non-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz22 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz800MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1006 (0402)
Höhe - sitzend (max.)0.024" (0.60mm)
Merkmale-

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