Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLF1005G2R2JT000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 30 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.3Ohm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLF1005G2R2JT000.
MLF1005G2R2JT000 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLF1005G2R2JT000 ist für 30 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLF1005G2R2JT000 hat einen DC-Widerstand von 1.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLF1005G2R2JT000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 30 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.3Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 30MA 1.3 OHM SMD |
| Serie | MLF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 10MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 80MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 (1005 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.022" (0.55mm) |
