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MLF1608DR10M

MLF1608DR10M

TDK

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 100NH 200MA 350 MOHM

Technische Daten

Induktivität
100 nH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
350mOhm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLF1608DR10M.

Induktivität
100 nH

MLF1608DR10M hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

MLF1608DR10M ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
350mOhm Max

MLF1608DR10M hat einen DC-Widerstand von 350mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

MLF1608DR10M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität100 nH
Toleranz±20%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)350mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 100NH 200MA 350 MOHM
SerieMLF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz15 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz450MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603 (1608 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.037" (0.95mm)
Merkmale-

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