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MLF2012C680MTD25

MLF2012C680MTD25

TDK

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 68UH 2MA 2.9 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
68 µH
Nennstrom
2 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.9Ohm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLF2012C680MTD25.

Induktivität
68 µH

MLF2012C680MTD25 hat eine Induktivität von 68 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 mA

MLF2012C680MTD25 ist für 2 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.9Ohm Max

MLF2012C680MTD25 hat einen DC-Widerstand von 2.9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MLF2012C680MTD25 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität68 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2 mA
DC-Widerstand (DCR)2.9Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 68UH 2MA 2.9 OHM SMD
SerieMLF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz25 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz9MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.057" (1.45mm)
Merkmale-

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