MLF2012DR82MT

MLF2012DR82MT

TDK

0805 (2012 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLF2012DR82MT von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 650mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
650mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLF2012DR82MT.

Induktivität
820 nH

MLF2012DR82MT hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

MLF2012DR82MT ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
650mOhm Max

MLF2012DR82MT hat einen DC-Widerstand von 650mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MLF2012DR82MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von MLF2012DR82MT weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±20%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)650mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 820NH 150MA 650 MOHM
SerieMLF
ProduktstatusNot For New Designs
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz25 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz130MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.057" (1.45mm)

Vorschau

PDF öffnen