MLF2012E5R6MT
TDK
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLF2012E5R6MT von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.6 µH, Nennstrom 15 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 600mOhm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLF2012E5R6MT.
MLF2012E5R6MT hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLF2012E5R6MT ist für 15 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLF2012E5R6MT hat einen DC-Widerstand von 600mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLF2012E5R6MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 5.6 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 15 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 600mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 5.6UH 15MA 600 MOHM |
| Serie | MLF |
| Produktstatus | Not For New Designs |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 4MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 45MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 4 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 (2012 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
