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MLG1005S27NHTD25

MLG1005S27NHTD25

TDK

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 27NH 300MA 800 MOHM

Technische Daten

Induktivität
27 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLG1005S27NHTD25.

Induktivität
27 nH

MLG1005S27NHTD25 hat eine Induktivität von 27 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

MLG1005S27NHTD25 ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

MLG1005S27NHTD25 hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

MLG1005S27NHTD25 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität27 nH
Toleranz±3%
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 27NH 300MA 800 MOHM
SerieMLG
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic, Non-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz8 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz1.6GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.022" (0.55mm)
Merkmale-

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