Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF0805-0033K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 nH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF0805-0033K.
MLRF0805-0033K hat eine Induktivität von 3.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF0805-0033K ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF0805-0033K hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF0805-0033K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3NH 1A 80 MOHM SMD |
| Serie | MLRF0805 |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 1.5GHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 6GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 250 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.060" (1.52mm) |
