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L08053R3BEWTR

L08053R3BEWTR

KYOCERA AVX

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3NH 750MA 110 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 nH
Nennstrom
750 mA
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max
Abmessungen
0.083 L x 0.059 W (2.11mm x 1.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L08053R3BEWTR.

Induktivität
3.3 nH

L08053R3BEWTR hat eine Induktivität von 3.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
750 mA

L08053R3BEWTR ist für 750 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max

L08053R3BEWTR hat einen DC-Widerstand von 110mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

L08053R3BEWTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität3.3 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom750 mA
DC-Widerstand (DCR)110mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.083 L x 0.059 W (2.11mm x 1.50mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 3.3NH 750MA 110 MOHM
SerieAccu-L®
ProduktstatusActive
Typ / AufbauThin Film
KernmaterialNon-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz38 @ 450MHz
Eigenresonanzfrequenz10GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz450 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.041 (1.04mm)
Merkmale-

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