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MLRF10M101K

Gowanda

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 385MA 1 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
385 mA
DC-Widerstand (DCR)
1Ohm Max
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF10M101K.

Induktivität
1 µH

MLRF10M101K hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
385 mA

MLRF10M101K ist für 385 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1Ohm Max

MLRF10M101K hat einen DC-Widerstand von 1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

MLRF10M101K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±10%
Nennstrom385 mA
DC-Widerstand (DCR)1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen-
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 1UH 385MA 1 OHM TH
SerieMLRF10M
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz230MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartAxial
Hersteller-Gehäuse0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm)
Höhe - sitzend (max.)25 MHz
MerkmaleThrough Hole

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