Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF15M221K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 435 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 950mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF15M221K.
MLRF15M221K hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF15M221K ist für 435 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF15M221K hat einen DC-Widerstand von 950mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF15M221K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 435 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 950mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.156" Dia x 0.375" L (3.96mm x 9.52mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 435MA 950 MOHM |
| Serie | MLRF15M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 33 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 135MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
