Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT252010-R68M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.68 μH, Nennstrom 2.43 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.056 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT252010-R68M-LF.
MPIT252010-R68M-LF hat eine Induktivität von 0.68 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MPIT252010-R68M-LF ist für 2.43 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MPIT252010-R68M-LF hat einen DC-Widerstand von 0.056 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.68 μH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.43 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.056 Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 2.50 A Max |
| Betriebstemperatur | -40℃ to +125℃ |
| Abmessungen | 0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm) |
| Serie | MPIT252010 |
| Kernmaterial | Ni-Zn Ferrite |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039 (1.00mm) |