Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT3010-3R3M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 μH, Nennstrom 1.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.145 Ω Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT3010-3R3M-LF.
MPIT3010-3R3M-LF hat eine Induktivität von 3.3 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MPIT3010-3R3M-LF ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MPIT3010-3R3M-LF hat einen DC-Widerstand von 0.145 Ω Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 μH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.145 Ω Max |
| Sättigungsstrom | 1.10 A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm) |
| Beschreibung | SMD power inductor, 3.3 μH ±20% |
| Serie | MPIT3010 |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite (Ni-Zn) |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039 (1.00mm) |