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MPIT3012-220M-LF

Microgate Technology

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT3012-220M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 μH, Nennstrom 0.65 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.588 Ω. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
22 μH
Nennstrom
0.65 A
DC-Widerstand (DCR)
0.588 Ω
Abmessungen
0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT3012-220M-LF.

Induktivität
22 μH

MPIT3012-220M-LF hat eine Induktivität von 22 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
0.65 A

MPIT3012-220M-LF ist für 0.65 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.588 Ω

MPIT3012-220M-LF hat einen DC-Widerstand von 0.588 Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 14.9.2026
Induktivität22 μH
Toleranz±20%
Nennstrom0.65 A
DC-Widerstand (DCR)0.588 Ω
Sättigungsstrom0.45 A
Betriebstemperatur-40℃ to +125℃
Abmessungen0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)
SerieMPIT3012
KernmaterialNi-Zn Ferrite
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
Höhe - sitzend (max.)0.047 (1.20mm)

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