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MPIT4018-101M-LF

Microgate Technology

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT4018-101M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 μH, Nennstrom 0.30 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.740 Ω. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
100 μH
Nennstrom
0.30 A
DC-Widerstand (DCR)
1.740 Ω
Abmessungen
0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT4018-101M-LF.

Induktivität
100 μH

MPIT4018-101M-LF hat eine Induktivität von 100 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
0.30 A

MPIT4018-101M-LF ist für 0.30 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.740 Ω

MPIT4018-101M-LF hat einen DC-Widerstand von 1.740 Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 14.9.2026
Induktivität100 μH
Toleranz±20%
Nennstrom0.30 A
DC-Widerstand (DCR)1.740 Ω
Sättigungsstrom0.45 A
Betriebstemperatur-40℃ to +125℃
Abmessungen0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)
SerieMPIT4018
KernmaterialNi-Zn Ferrite
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
Höhe - sitzend (max.)0.071 (1.80mm)

Vorschau

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