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MPIT4018-4R7M-LF

Microgate Technology

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT4018-4R7M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 μH, Nennstrom 2.00 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.078 Ω. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 μH
Nennstrom
2.00 A
DC-Widerstand (DCR)
0.078 Ω
Abmessungen
0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT4018-4R7M-LF.

Induktivität
4.7 μH

MPIT4018-4R7M-LF hat eine Induktivität von 4.7 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.00 A

MPIT4018-4R7M-LF ist für 2.00 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.078 Ω

MPIT4018-4R7M-LF hat einen DC-Widerstand von 0.078 Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 14.9.2026
Induktivität4.7 μH
Toleranz±20%
Nennstrom2.00 A
DC-Widerstand (DCR)0.078 Ω
Sättigungsstrom2.10 A
Betriebstemperatur-40℃ to +125℃
Abmessungen0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)
SerieMPIT4018
KernmaterialNi-Zn Ferrite
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
Höhe - sitzend (max.)0.071 (1.80mm)

Vorschau

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