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MPIT4030-1R5M-LF

Microgate Technology

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT4030-1R5M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5 μH, Nennstrom 3.34 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.026 Ω. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.5 μH
Nennstrom
3.34 A
DC-Widerstand (DCR)
0.026 Ω
Abmessungen
0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT4030-1R5M-LF.

Induktivität
1.5 μH

MPIT4030-1R5M-LF hat eine Induktivität von 1.5 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.34 A

MPIT4030-1R5M-LF ist für 3.34 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.026 Ω

MPIT4030-1R5M-LF hat einen DC-Widerstand von 0.026 Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.5 μH
Toleranz±20%
Nennstrom3.34 A
DC-Widerstand (DCR)0.026 Ω
Sättigungsstrom5.50 A
Betriebstemperatur-40℃ to +125℃
Abmessungen0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)
SerieMPIT4030
KernmaterialNi-Zn Ferrite
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118 (3.00mm)

Vorschau

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