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MPIT4030-470M-LF

Microgate Technology

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT4030-470M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 47 μH, Nennstrom 0.72 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.580 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
47 μH
Nennstrom
0.72 A
DC-Widerstand (DCR)
0.580 Ohm Max
Abmessungen
0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT4030-470M-LF.

Induktivität
47 μH

MPIT4030-470M-LF hat eine Induktivität von 47 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
0.72 A

MPIT4030-470M-LF ist für 0.72 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.580 Ohm Max

MPIT4030-470M-LF hat einen DC-Widerstand von 0.580 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität47 μH
Toleranz±20%
Nennstrom0.72 A
DC-Widerstand (DCR)0.580 Ohm Max
Sättigungsstrom0.75 A Max
Betriebstemperatur-40℃ to +125℃
Abmessungen0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)
SerieMPIT4030
KernmaterialNi-Zn Ferrite
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118 (3.00mm)

Vorschau

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