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MPIT5040-150M-LF

Microgate Technology

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT5040-150M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 15 μH, Nennstrom 2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.112 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
15 μH
Nennstrom
2 A
DC-Widerstand (DCR)
0.112 Ohm Max
Abmessungen
0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT5040-150M-LF.

Induktivität
15 μH

MPIT5040-150M-LF hat eine Induktivität von 15 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 A

MPIT5040-150M-LF ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.112 Ohm Max

MPIT5040-150M-LF hat einen DC-Widerstand von 0.112 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität15 μH
Toleranz±20%
Nennstrom2 A
DC-Widerstand (DCR)0.112 Ohm Max
Sättigungsstrom2.20 A Max
Betriebstemperatur-40℃ to +125℃
Abmessungen0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)
SerieMPIT5040
KernmaterialNi-Zn Ferrite
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.157 (4.00mm)

Vorschau

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