Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT6020-1R0N-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.0 μH, Nennstrom 3.93 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.028 Ω. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT6020-1R0N-LF.
MPIT6020-1R0N-LF hat eine Induktivität von 1.0 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MPIT6020-1R0N-LF ist für 3.93 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MPIT6020-1R0N-LF hat einen DC-Widerstand von 0.028 Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.0 μH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 3.93 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.028 Ω |
| Sättigungsstrom | 6.50 A |
| Betriebstemperatur | -40℃ to +125℃ |
| Abmessungen | 0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm) |
| Serie | MPIT6020 |
| Kernmaterial | Ni-Zn Ferrite |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 KHz |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079 (2.00mm) |