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MPIT6028-1R0M31-LF

Microgate Technology

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT6028-1R0M31-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.0 μH, Nennstrom 5.20 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.010 Ω. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.0 μH
Nennstrom
5.20 A
DC-Widerstand (DCR)
0.010 Ω
Abmessungen
0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT6028-1R0M31-LF.

Induktivität
1.0 μH

MPIT6028-1R0M31-LF hat eine Induktivität von 1.0 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
5.20 A

MPIT6028-1R0M31-LF ist für 5.20 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.010 Ω

MPIT6028-1R0M31-LF hat einen DC-Widerstand von 0.010 Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 14.9.2026
Induktivität1.0 μH
Toleranz±20%
Nennstrom5.20 A
DC-Widerstand (DCR)0.010 Ω
Sättigungsstrom5.80 A
Betriebstemperatur-40℃ to +125℃
Abmessungen0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)
SerieMPIT6028
KernmaterialNi-Zn Ferrite
Induktivitäts-Testfrequenz100 KHz
Höhe - sitzend (max.)0.110 (2.80mm)

Vorschau

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