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MPIT6028-470M31-LF

Microgate Technology

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT6028-470M31-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 47 μH, Nennstrom 1.02 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.310 Ω. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
47 μH
Nennstrom
1.02 A
DC-Widerstand (DCR)
0.310 Ω
Abmessungen
0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT6028-470M31-LF.

Induktivität
47 μH

MPIT6028-470M31-LF hat eine Induktivität von 47 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.02 A

MPIT6028-470M31-LF ist für 1.02 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.310 Ω

MPIT6028-470M31-LF hat einen DC-Widerstand von 0.310 Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 14.9.2026
Induktivität47 μH
Toleranz±20%
Nennstrom1.02 A
DC-Widerstand (DCR)0.310 Ω
Sättigungsstrom1.15 A
Betriebstemperatur-40℃ to +125℃
Abmessungen0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)
SerieMPIT6028
KernmaterialNi-Zn Ferrite
Induktivitäts-Testfrequenz100 KHz
Höhe - sitzend (max.)0.110 (2.80mm)

Vorschau

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