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MPIT6045-221M-LF

Microgate Technology

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT6045-221M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220 μH, Nennstrom 0.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.050 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
220 μH
Nennstrom
0.5 A
DC-Widerstand (DCR)
1.050 Ohm Max
Abmessungen
0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT6045-221M-LF.

Induktivität
220 μH

MPIT6045-221M-LF hat eine Induktivität von 220 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
0.5 A

MPIT6045-221M-LF ist für 0.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.050 Ohm Max

MPIT6045-221M-LF hat einen DC-Widerstand von 1.050 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität220 μH
Toleranz±20%
Nennstrom0.5 A
DC-Widerstand (DCR)1.050 Ohm Max
Sättigungsstrom0.70 A Max
Betriebstemperatur-40℃ to +125℃
Abmessungen0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)
SerieMPIT6045
KernmaterialNi-Zn Ferrite
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.177 (4.50mm)

Vorschau

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