Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT8040-R68N-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.68 μH, Nennstrom 8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.007 Ω. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT8040-R68N-LF.
MPIT8040-R68N-LF hat eine Induktivität von 0.68 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MPIT8040-R68N-LF ist für 8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MPIT8040-R68N-LF hat einen DC-Widerstand von 0.007 Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.68 μH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 8 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.007 Ω |
| Sättigungsstrom | 15.50 A |
| Betriebstemperatur | -40℃ to +125℃ |
| Abmessungen | 0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm) |
| Serie | MPIT8040 |
| Kernmaterial | Ni-Zn Ferrite |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.165 (4.20mm) |