Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT8065-2R2M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 μH, Nennstrom 6.30 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.016 Ω. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT8065-2R2M-LF.
MPIT8065-2R2M-LF hat eine Induktivität von 2.2 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MPIT8065-2R2M-LF ist für 6.30 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MPIT8065-2R2M-LF hat einen DC-Widerstand von 0.016 Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 μH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 6.30 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.016 Ω |
| Sättigungsstrom | 15.00 A |
| Betriebstemperatur | -40℃ to +125℃ |
| Abmessungen | 0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm) |
| Serie | MPIT8065 |
| Kernmaterial | Ni-Zn Ferrite |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.256 (6.50mm) |