Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0402H51N_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 51 nH, Nennstrom 1.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 70mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1106 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0402H51N_ST.
MTF0402H51N_ST hat eine Induktivität von 51 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF0402H51N_ST ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF0402H51N_ST hat einen DC-Widerstand von 70mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF0402H51N_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1106 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 51 nH |
| Nennstrom | 1.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 70mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.043 L x 0.024 W (1.10mm x 0.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1106 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1106 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 51 NH 1100 MA 0.07 OHM |
| Serie | MTF0402H |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.93GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.022 (0.55mm) |