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MTF0402P5R1_ST

MTF0402P5R1_ST

Microgate Technology

0402 (1106 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0402P5R1_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.1 µH, Nennstrom 180 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.38Ohm Max, Gehäusegröße 0402 (1106 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5.1 µH
Nennstrom
180 mA
DC-Widerstand (DCR)
4.38Ohm Max
Abmessungen
0.043 L x 0.024 W (1.10mm x 0.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0402P5R1_ST.

Induktivität
5.1 µH

MTF0402P5R1_ST hat eine Induktivität von 5.1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
180 mA

MTF0402P5R1_ST ist für 180 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.38Ohm Max

MTF0402P5R1_ST hat einen DC-Widerstand von 4.38Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1106 Metric)

MTF0402P5R1_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1106 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität5.1 µH
Nennstrom180 mA
DC-Widerstand (DCR)4.38Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.043 L x 0.024 W (1.10mm x 0.60mm)
Gehäuse / Größe0402 (1106 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1106 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 5100 NH 180 MA 4.38 OH
SerieMTF0402P
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz55MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.024 (0.60mm)

Vorschau

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