Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0402P82N_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 nH, Nennstrom 730 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 160mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1106 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0402P82N_ST.
MTF0402P82N_ST hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF0402P82N_ST ist für 730 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF0402P82N_ST hat einen DC-Widerstand von 160mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF0402P82N_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1106 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 nH |
| Nennstrom | 730 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 160mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.043 L x 0.024 W (1.10mm x 0.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1106 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1106 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 82 NH 730 MA 0.16 OHM |
| Serie | MTF0402P |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.1GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.024 (0.60mm) |