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MTF0603HW1R0KST

MTF0603HW1R0KST

Microgate Technology

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0603HW1R0KST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 nH, Nennstrom 700 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 320mOhm, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 nH
Nennstrom
700 mA
DC-Widerstand (DCR)
320mOhm
Abmessungen
0.063 L x 0.039 W (1.60mm x 1.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0603HW1R0KST.

Induktivität
1 nH

MTF0603HW1R0KST hat eine Induktivität von 1 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA

MTF0603HW1R0KST ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
320mOhm

MTF0603HW1R0KST hat einen DC-Widerstand von 320mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

MTF0603HW1R0KST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität1 nH
Toleranz±10%
Nennstrom700 mA
DC-Widerstand (DCR)320mOhm
Sättigungsstrom860mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.063 L x 0.039 W (1.60mm x 1.00mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 1000 NH 700 MA 0.32 OH
SerieMTF0603HW
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz16 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz400MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)

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