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MTF0603S2R2MST

MTF0603S2R2MST

Microgate Technology

0603 (1608 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0603S2R2MST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 520 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 345mOhm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
520 mA
DC-Widerstand (DCR)
345mOhm Max
Abmessungen
0.063 L x 0.039 W (1.60mm x 1.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0603S2R2MST.

Induktivität
2.2 µH

MTF0603S2R2MST hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
520 mA

MTF0603S2R2MST ist für 520 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
345mOhm Max

MTF0603S2R2MST hat einen DC-Widerstand von 345mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

MTF0603S2R2MST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom520 mA
DC-Widerstand (DCR)345mOhm Max
Sättigungsstrom520mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.063 L x 0.039 W (1.60mm x 1.00mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 2200 NH 750 MA 0.345 O
SerieMTF0603S
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)

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