Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0603T100MST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 215 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.4Ohm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0603T100MST.
MTF0603T100MST hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF0603T100MST ist für 215 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF0603T100MST hat einen DC-Widerstand von 1.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF0603T100MST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 215 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.4Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 215mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.067 L x 0.040 W (1.70mm x 1.02mm) |
| Gehäuse / Größe | 0603 (1608 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 (1608 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 10000 NH 215 MA 1.4 OH |
| Serie | MTF0603T |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 35MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0603 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039 (1.00mm) |
