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MTF0603T6R8MST

MTF0603T6R8MST

Microgate Technology

0603 (1608 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0603T6R8MST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 260 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.2Ohm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
260 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max
Abmessungen
0.067 L x 0.040 W (1.70mm x 1.02mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0603T6R8MST.

Induktivität
6.8 µH

MTF0603T6R8MST hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
260 mA

MTF0603T6R8MST ist für 260 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max

MTF0603T6R8MST hat einen DC-Widerstand von 1.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

MTF0603T6R8MST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom260 mA
DC-Widerstand (DCR)1.2Ohm Max
Sättigungsstrom260mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.067 L x 0.040 W (1.70mm x 1.02mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 6800 NH 260 MA 1.2 OHM
SerieMTF0603T
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz40MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)

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