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MWSD1005C1N8BT

MWSD1005C1N8BT

Sunlord

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.8NH 950MA 43 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.8 nH
Nennstrom
950 mA
DC-Widerstand (DCR)
43mOhm Max
Abmessungen
0.043" L x 0.024" W (1.10mm x 0.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MWSD1005C1N8BT.

Induktivität
1.8 nH

MWSD1005C1N8BT hat eine Induktivität von 1.8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
950 mA

MWSD1005C1N8BT ist für 950 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
43mOhm Max

MWSD1005C1N8BT hat einen DC-Widerstand von 43mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

MWSD1005C1N8BT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität1.8 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom950 mA
DC-Widerstand (DCR)43mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.043" L x 0.024" W (1.10mm x 0.60mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantSunlord
BeschreibungFIXED IND 1.8NH 950MA 43 MOHM
SerieMWSD-C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz6GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.026" (0.65mm)
Merkmale-

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