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NLCV32T-R68M-EFRD

NLCV32T-R68M-EFRD

TDK

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil NLCV32T-R68M-EFRD von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680 nH, Nennstrom 1.9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 54mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
680 nH
Nennstrom
1.9 A
DC-Widerstand (DCR)
54mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NLCV32T-R68M-EFRD.

Induktivität
680 nH

NLCV32T-R68M-EFRD hat eine Induktivität von 680 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.9 A

NLCV32T-R68M-EFRD ist für 1.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
54mOhm Max

NLCV32T-R68M-EFRD hat einen DC-Widerstand von 54mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

NLCV32T-R68M-EFRD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität680 nH
Toleranz±20%
Nennstrom1.9 A
DC-Widerstand (DCR)54mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 680NH 1.9A 54 MOHM SMD
SerieNLCV-EFD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 25.2MHz
Eigenresonanzfrequenz180MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz25.2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210 (3225 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.094" (2.40mm)

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