Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil NLV25T-820J-EF von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Nennstrom 66 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 19Ohm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NLV25T-820J-EF.
NLV25T-820J-EF hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
NLV25T-820J-EF ist für 66 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
NLV25T-820J-EF hat einen DC-Widerstand von 19Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
NLV25T-820J-EF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 66 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 19Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 82UH 66MA 19 OHM SMD |
| Serie | NLV-EF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 20 @ 796kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 13MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 796 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 (2520 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.075" (1.90mm) |
