Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PAS6420V-522J von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.2 mH, Nennstrom 30 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 113Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PAS6420V-522J.
PAS6420V-522J hat eine Induktivität von 5.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PAS6420V-522J ist für 30 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PAS6420V-522J hat einen DC-Widerstand von 113Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PAS6420V-522J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 5.2 mH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 30 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 113Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.252" L x 0.091" W (6.40mm x 2.30mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 5.2MH 30MA 113 OHM SMD |
| Serie | PAS6420V |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 520kHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 125 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
