Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PAS8027V-452J von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.5 mH, Nennstrom 20 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 80Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PAS8027V-452J.
PAS8027V-452J hat eine Induktivität von 4.5 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PAS8027V-452J ist für 20 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PAS8027V-452J hat einen DC-Widerstand von 80Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PAS8027V-452J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.5 mH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 20 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 80Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.309" L x 0.106" W (7.85mm x 2.70mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 4.5MH 20MA 80 OHM SMD |
| Serie | PAS8027V |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 125kHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 125 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.106" (2.70mm) |
