Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil RL822-1R0K-RC von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 3.71 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 13mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für RL822-1R0K-RC.
RL822-1R0K-RC hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
RL822-1R0K-RC ist für 3.71 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
RL822-1R0K-RC hat einen DC-Widerstand von 13mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
RL822-1R0K-RC verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 3.71 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 13mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.335" Dia (8.50mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 3.71A 13 MOHM TH |
| Serie | RL822 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 20 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 150MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.433" (11.00mm) |
