Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil S1210R-682J von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 328 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.5Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für S1210R-682J.
S1210R-682J hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
S1210R-682J ist für 328 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
S1210R-682J hat einen DC-Widerstand von 1.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
S1210R-682J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 328 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.5Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.138" L x 0.105" W (3.51mm x 2.66mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 6.8UH 328MA 1.5 OHM |
| Serie | S1210R |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 40 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 35MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 (3225 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.101" (2.57mm) |
