Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SEPI100810LN-R10M-R1310 von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.1 µH, Nennstrom 65 A Typ, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.13 mOhm ±10%. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SEPI100810LN-R10M-R1310.
SEPI100810LN-R10M-R1310 hat eine Induktivität von 0.1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SEPI100810LN-R10M-R1310 ist für 65 A Typ ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SEPI100810LN-R10M-R1310 hat einen DC-Widerstand von 0.13 mOhm ±10%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 65 A Typ |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.13 mOhm ±10% |
| Sättigungsstrom | 100 A Typ |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | IND 0.1UH 0.13MOHM 65A |
| Produktstatus | Active |
