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SPM12565XT-2R8M150

SPM12565XT-2R8M150

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 2.8UH 15A 5.2 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.8 µH
Nennstrom
15 A
DC-Widerstand (DCR)
5.2mOhm Max
Abmessungen
0.512" L x 0.496" W (13.00mm x 12.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SPM12565XT-2R8M150.

Induktivität
2.8 µH

SPM12565XT-2R8M150 hat eine Induktivität von 2.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
15 A

SPM12565XT-2R8M150 ist für 15 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
5.2mOhm Max

SPM12565XT-2R8M150 hat einen DC-Widerstand von 5.2mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

SPM12565XT-2R8M150 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität2.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom15 A
DC-Widerstand (DCR)5.2mOhm Max
Sättigungsstrom28A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.512" L x 0.496" W (13.00mm x 12.60mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 2.8UH 15A 5.2 MOHM SMD
SerieSPM-XT
ProduktstatusNot For New Designs
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.256" (6.50mm)
Merkmale-

Vorschau