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SPM4012T-4R7M

SPM4012T-4R7M

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 2A 205 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
2 A
DC-Widerstand (DCR)
205mOhm Max
Abmessungen
0.173" L x 0.161" W (4.40mm x 4.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SPM4012T-4R7M.

Induktivität
4.7 µH

SPM4012T-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 A

SPM4012T-4R7M ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
205mOhm Max

SPM4012T-4R7M hat einen DC-Widerstand von 205mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SPM4012T-4R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2 A
DC-Widerstand (DCR)205mOhm Max
Sättigungsstrom2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.173" L x 0.161" W (4.40mm x 4.10mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 2A 205 MOHM SMD
SerieSPM
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)

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