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SPM5012T-1R0M

SPM5012T-1R0M

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 4.1A 44 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
4.1 A
DC-Widerstand (DCR)
44mOhm Max
Abmessungen
0.213" L x 0.201" W (5.40mm x 5.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SPM5012T-1R0M.

Induktivität
1 µH

SPM5012T-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.1 A

SPM5012T-1R0M ist für 4.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
44mOhm Max

SPM5012T-1R0M hat einen DC-Widerstand von 44mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SPM5012T-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4.1 A
DC-Widerstand (DCR)44mOhm Max
Sättigungsstrom6.3A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.213" L x 0.201" W (5.40mm x 5.10mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 1UH 4.1A 44 MOHM SMD
SerieSPM
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)

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