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SPM5030T-4R7M

SPM5030T-4R7M

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 4.7A 49.5 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
4.7 A
DC-Widerstand (DCR)
49.5mOhm Max
Abmessungen
0.205" L x 0.197" W (5.20mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SPM5030T-4R7M.

Induktivität
4.7 µH

SPM5030T-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.7 A

SPM5030T-4R7M ist für 4.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
49.5mOhm Max

SPM5030T-4R7M hat einen DC-Widerstand von 49.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SPM5030T-4R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4.7 A
DC-Widerstand (DCR)49.5mOhm Max
Sättigungsstrom3A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.205" L x 0.197" W (5.20mm x 5.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 4.7A 49.5 MOHM
SerieSPM
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.118" (3.00mm)
Merkmale-

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