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SPM5030T-R35M

SPM5030T-R35M

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 350NH 16.6A 4.29 MOHM

Technische Daten

Induktivität
350 nH
Nennstrom
16.6 A
DC-Widerstand (DCR)
4.29mOhm Max
Abmessungen
0.205" L x 0.197" W (5.20mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SPM5030T-R35M.

Induktivität
350 nH

SPM5030T-R35M hat eine Induktivität von 350 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
16.6 A

SPM5030T-R35M ist für 16.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.29mOhm Max

SPM5030T-R35M hat einen DC-Widerstand von 4.29mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SPM5030T-R35M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität350 nH
Toleranz±20%
Nennstrom16.6 A
DC-Widerstand (DCR)4.29mOhm Max
Sättigungsstrom14.9A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.205" L x 0.197" W (5.20mm x 5.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 350NH 16.6A 4.29 MOHM
SerieSPM
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.118" (3.00mm)
Merkmale-

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