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SPM6530T-3R3M

SPM6530T-3R3M

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 6.8A 29.7 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
6.8 A
DC-Widerstand (DCR)
29.7mOhm Max
Abmessungen
0.280" L x 0.256" W (7.10mm x 6.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SPM6530T-3R3M.

Induktivität
3.3 µH

SPM6530T-3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
6.8 A

SPM6530T-3R3M ist für 6.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
29.7mOhm Max

SPM6530T-3R3M hat einen DC-Widerstand von 29.7mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SPM6530T-3R3M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom6.8 A
DC-Widerstand (DCR)29.7mOhm Max
Sättigungsstrom7.3A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.280" L x 0.256" W (7.10mm x 6.50mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 6.8A 29.7 MOHM
SerieSPM
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.118" (3.00mm)
Merkmale-

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