Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SPM6550T-3R3M-HZR von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 7.9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 19.2mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SPM6550T-3R3M-HZR.
SPM6550T-3R3M-HZR hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SPM6550T-3R3M-HZR ist für 7.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SPM6550T-3R3M-HZR hat einen DC-Widerstand von 19.2mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SPM6550T-3R3M-HZR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 7.9 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 19.2mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 9.1A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.280" L x 0.268" W (7.10mm x 6.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 7.9A 19.2 MOHM |
| Serie | SPM-HZR |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.197" (5.00mm) |
